2017年4月28日，国家优青获得者、中国科学院微电子研究所刘琦研究员在物电学院会议室作了题为“非易失阻变存储器”的学术报告，报告由物电学院代凯教授主持，物电学院相关老师、研究生和本科生聆听了报告。

在报告中，刘琦研究员首先介绍了存储器是大数据时代信息产业的基础和代表国家核心竞争力的战略高技术产业。阻变存储器具有单元尺寸小、速度快、功耗低、器件结构简单、易于三维集成等优点受到学术界和产业界的广泛关注。然而，作为新型存储技术，RRAM在面向产业化的过程中仍然存在许多挑战需要克服。这个报告介绍了阻变存储器的物理机制、器件性能调控和集成技术，并介绍了刘琦研究员在Nat. Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater., EDL和APL等期刊发表的多项研究工作。这次报告拓宽了广大科研人员和研究生的专业视野，激发了广大科研人员学术研究的热情。报告结束后，与会师生就非易失阻变存储器的未来发展及技术实用化等话题进行了深入的交流与探讨，活跃了学院的学术氛围。

( 文：代凯  /  图：胡亚楠  /  审核：丁国华 )